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RJP30K3DPP-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features •Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.1Vtyp •Highspeedswitchingtr=90nstyp,tf=250nstyp •LowleakcurrentICES=1µAmax •IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    RJP30K3DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJP30K3DPP-M0供应商 更新时间2025-7-20 11:00:00