RJP30K3中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
RJP30K3规格书详情
特性 Features
• Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ
• High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ
• Low leak current ICES = 1µA max
• Isolated package TO-220FL
产品属性
- 型号：
RJP30K3
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
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RENESAS/瑞萨 |
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24+ |
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65000 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-263-2 |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO220F |
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RENESAS/瑞萨 |
42 |
42 |
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原装现货 |
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RENESAS |
24+ |
TO263-3 |
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RENESAS |
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