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RJP30H2DPK-M0-T2数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

RJP30H2DPK-M0-T2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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RJP30H2DPK-M0-T2规格书详情

描述 Description

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

*  Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.4 V typ

*  High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
 *  Low leak current: ICES= 1 A max

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