首页>RJP30H2DPK-M0-T2>规格书详情
RJP30H2DPK-M0-T2中文资料Silicon N Channel IGBT High speed power switching数据手册Renesas规格书
RJP30H2DPK-M0-T2规格书详情
描述 Description
* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.4 V typ
* High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
* Low leak current: ICES= 1 A max
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
TO-3P |
335 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-247 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
612 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS |
10+ |
TO-3P |
335 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
27 |
询价 | |||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
