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RJP30E3DPP-M0数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

RJP30E3DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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RJP30E3DPP-M0规格书详情

特性 Features

• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
• Isolated package TO-220FL

技术参数

  • 型号:

    RJP30E3DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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