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RJP30E2DPK-M0中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
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特性 Features
• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
技术参数
- 型号：
RJP30E2DPK-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞萨 |
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