首页>RJP30E2DPK-M0>规格书详情
RJP30E2DPK-M0中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
RJP30E2DPK-M0规格书详情
特性 Features
• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
技术参数
- 型号：
RJP30E2DPK-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-3P |
10480 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
RE |
24+ |
PBF |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-220F |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
瑞萨 |
24+ |
NA/ |
17138 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-220F |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
RENESAS |
1932+ |
TO-220F |
480 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
