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厂商型号

RJP30E2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching / Vce(sat) = 1.7V typ

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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RJP30E2规格书详情

描述 Description

1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage  VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching  tf = 150 ns typ
4. Low leak current  ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL

技术参数

  • 型号:

    RJP30E2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
9048
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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RENESAS/瑞萨
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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一级代理商进口原装现货、价格合理
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RENESAS/瑞萨
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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