RJP30E2中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching / Vce(sat) = 1.7V typ数据手册Renesas规格书
RJP30E2规格书详情
描述 Description
1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching tf = 150 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL
技术参数
- 型号：
RJP30E2
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
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RENESAS |
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Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
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RENESAS |
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Renesas(瑞萨) |
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