RJP30E2中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching / Vce(sat) = 1.7V typ数据手册Renesas规格书
RJP30E2规格书详情
描述 Description
1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching tf = 150 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL
技术参数
- 型号：
RJP30E2
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-220F |
1664 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RE |
24+ |
PBF |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
445 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
9048 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 |
