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RJP30数据手册Renesas中文资料规格书

厂商型号	RJP30
功能描述	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
制造商	Renesas Renesas Technology Corp
中文名称	瑞萨瑞萨科技有限公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-7 22:58:00
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RJP30规格书详情

特性 Features

• Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ
• High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ
• Low leak current ICES = 1µA max
• Isolated package TO-220FL

技术参数

型号：
RJP30
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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