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RJP30E3DPK-M0中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
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特性 Features
• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
技术参数
- 型号：
RJP30E3DPK-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
T0-3P |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
T0-3P |
85755 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
T0-3P |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
4260 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS |
1932+ |
TO-263 |
477 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
- |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
PBF |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
