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RJP30E3DPK-M0规格书详情
特性 Features
• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
技术参数
- 型号:
RJP30E3DPK-M0
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全称:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
4260 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-3P |
80000 |
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RENESAS |
1932+ |
TO-263 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
PBF |
880000 |
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RENESAS |
24+ |
T0-3P |
12000 |
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RENESAS |
24+ |
T0-3P |
16900 |
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RENESAS |
TO-3P |
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- |
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NA |
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RENESAS |
24+ |
T0-3P |
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RENESAS |
25+ |
TO-TO-220F |
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