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RJP30H2A中文资料Silicon N Channel IGBT High speed power switching数据手册Renesas规格书

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厂商型号

RJP30H2A

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 8:30:00

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RJP30H2A规格书详情

特性 Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
● High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
● Low leak current: ICES = 1 A max

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