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RJP30H1DPD中文资料N-Channel Power MOSFET / TO-263数据手册Renesas规格书
RJP30H1DPD规格书详情
描述 Description
* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
* High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.
* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.
* Low leak current: ICES= 1 A max.
技术参数
- 型号：
RJP30H1DPD
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
PB-FREE |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
501136 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
询价 | ||
RENESAS |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
PB-FREE |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
SOT252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
