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RJP30H2DPK-M0-T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching * Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)\n\n* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.4 V typ\n\n* High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ\n * Low leak current: ICES= 1 A max	Renesas 瑞萨	Renesas
RJP4003ANS-00#Q1	文件：0 bytes Page：0 Pages	Renesas -	RENESAS 瑞萨上传：深圳市佳斯泰科技有限公司	RENESAS
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深圳深宇韬电子科技有限公司	RJP30H2DPK-M2	RENESAS	2023+	TO-247	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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深圳市宇创芯科技有限公司	RJP30H2DPK-M2-HS	RENESAS	24+	TO-3P	16900	原装正品现货支持实单	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	RJP30H2DPK-M2-TO	RENESAS/瑞萨	24+	NA/	612	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多RJP30H2DPK-M0-T2供应商更新时间2025-10-10 8:02:00

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