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PBSS4021NX分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS4021NX
厂商型号

PBSS4021NX

参数属性

PBSS4021NX 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 7A SOT89

功能描述

20 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

6D

封装外壳

SOT89 / TO-243AA

文件大小

727.03 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 23:01:00

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PBSS4021NX规格书详情

1. General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and

flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS4021PX.

2. Features and benefits

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High collector current gain (hFE) at high IC

• High energy efficiency due to less heat generation

• AEC-Q101 qualified

• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

3. Applications

• Loadswitch

• Battery-driven devices

• Power management

• Charging circuits

• Power switches (e.g. motors, fans)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4021NX,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    210mV @ 350mA,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 4A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    115MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 7A SOT89

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