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PBSS3540M分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS3540M
厂商型号

PBSS3540M

参数属性

PBSS3540M 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.5A DFN1006B-3

功能描述

40 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
TRANS PNP 40V 0.5A DFN1006B-3

文件大小

510.04 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 22:30:00

PBSS3540M规格书详情

FEATURES

•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

•High collector current capability IC and ICM

•High efficiency leading to reduced heat generation

•Reduced printed-circuit board requirements.

APPLICATIONS

•Power management:

–DC-DC converter

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting.

•Peripheral driver:

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).

–Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

Low VCEsat PNP transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package.

NPN complement: PBSS2540M.

PBSS3540M属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS3540M晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS3540MB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    50mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.5A DFN1006B-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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