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PBSS3540E中文资料安世数据手册PDF规格书

PBSS3540E
厂商型号

PBSS3540E

功能描述

40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

1T

封装外壳

SC-75

文件大小

286.89 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 17:35:00

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PBSS3540E规格书详情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability: IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

产品属性

  • 型号:

    PBSS3540E

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT LOW VCESAT(BLISS)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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