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PBSS3540F中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PBSS3540F
厂商型号

PBSS3540F

功能描述

40 V low VCEsat PNP transistor

文件大小

62.24 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-22 20:00:00

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PBSS3540F规格书详情

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SC-89 (SOT490) plastic package.

NPN complement: PBSS2540F.

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage

• High current capability

• Improved thermal behaviour due to flat leads

• Enhanced performance over SOT23 general purpose

transistors.

APPLICATIONS

• General purpose switching and muting

• Low frequency driver circuits

• Audio frequency general purpose applications

• Battery driven equipment (mobile phones, video

cameras, hand-held devices).

产品属性

  • 型号:

    PBSS3540F

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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