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OMAP3515ECUSA	文件：2.71612 Mbytes Page：264 Pages	OMAP3515andOMAP3503ApplicationsProcessors	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PAW3515DB	文件：69.3 Kbytes Page：4 Pages	USBOPTICALMOUSESINGLECHIP	PixartPixart Imaging Inc. 原相科技原相科技股份有限公司	Pixart
PBSS3515E	文件：128.13 Kbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinanultrasmallSOT416(SC-75)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentg	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS3515E	文件：110.02 Kbytes Page：11 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT416(SC-75)SMDplasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC ■Highefficien	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS3515E	文件：243.02 Kbytes Page：13 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515F	文件：63.97 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS3515M	文件：148.99 Kbytes Page：9 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION LowVCEsatPNPtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515M. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS3515M	文件：353.04 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB	文件：1.09867 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515VS	文件：68.56 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
OMAP3515ECBBA
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 微处理器
系列：
OMAP-35xx
包装：
托盘
核心处理器：
ARM® Cortex®-A8
内核数/总线宽度：
1 核，32 位
速度：
600MHz
协处理器/DSP：
多媒体；NEON™ SIMD
RAM 控制器：
LPDDR
图形加速：
是
显示与接口控制器：
LCD
USB：
USB 1.x（3），USB 2.0（1）
电压 - I/O：
1.8V，3.0V
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TJ）
封装/外壳：
515-VFBGA，FCBGA
供应商器件封装：
515-POP-FCBGA（12x12）
描述：
IC MPU OMAP-35XX 600MHZ 515FCBGA

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