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NTP5860NL | N-Channel Power MOSFET 文件：122.23 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
N-Channel Power MOSFET 文件：122.23 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
NTP5860NL | 功率 MOSFET，60V，169A，3mΩ，单 N 沟道，TO-220，逻辑电平 60 V，3 mΩ，220 A，N 沟道，逻辑电平，D2PAK，功率 MOSFET • Low RDS(on)\n• AEC-Q101 qualified\n• High Current Capability\n• Pb free and halogen free; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
N-Channel Power MOSFET 文件：123.72 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 220A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.38 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：122.23 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
详细参数
- 型号：
NTP5860NL
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
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23+ |
SMB(DO-214AA) |
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VB |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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当天发货全新原装现货 |
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VBsemi |
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