NTP13N10G规格书供应价格安森美半导体-114ic电子网

首页 >NTP13N10G>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NTP13N10G	文件：210.69 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 13 A, 100 V, N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
13N10	文件：773.51 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ADM13N10S	文件：654.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Applications: ●Li-BatteryManagementSystem ●USBPowerDelivery ●BLDCDrive ●SynchronousRectifica	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
CEB13N10	文件：354.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB13N10	文件：98.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB13N10	文件：586.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB13N10L	文件：589.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB13N10L	文件：663.1 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP13N10	文件：98.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP13N10	文件：586.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
NTP13N10G
功能描述：
MOSFET 100V 13A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华来深电子有限公司	NTP13N10G	ON	23+	TO-220-3	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NTP13N10G	ON	1822+	TO-220	9852	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NTP13N10G	ON	18+	TO-220	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NTP13N10G	O	24+	TO220AB	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NTP13N10G	VB	21+	TO220AB	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NTP13N10G	ON Semiconductor	22+	TO2203	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	NTP13N10G	ON Semiconductor	21+	TO2203	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NTP13N10G	ON Semiconductor	23+	TO2203	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NTP13N10G	ON Semiconductor	2022+	TO-220-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市能元时代电子有限公司	NTP13N10G	VBsemi/台湾微碧	23+	TO220AB	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价

更多NTP13N10G供应商更新时间2025-4-30 14:50:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号