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NTP52N10	文件：72.57 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts 文件：72.57 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP52N10	文件：164.86 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts 文件：164.86 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP52N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET 60 A，100 V，N 沟道增强模式，TO-220 功率 MOSFET 60 A，100 V，N 沟道增强模式，TO-220 • Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete Fast Recovery Diode\n• Avalanche Energy Specified\n• IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Pb-Free Package is Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTP52N10
功能描述：
MOSFET 100V 60A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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