NTP52N10中文资料功率 MOSFET 60 A，100 V，N 沟道增强模式，TO-220数据手册ONSEMI规格书
NTP52N10规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET 60 A，100 V，N 沟道增强模式，TO-220
特性 Features
• Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Avalanche Energy Specified
• IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Pb-Free Package is Available
应用 Application
• PWM Motor Controls
• Power Supplies
• Converters
技术参数
- 型号：
NTP52N10
- 功能描述：
MOSFET 100V 60A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-220 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ONSemi |
24+ |
TO-220 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价NTP52N10即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO220 |
19000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-2203LEADSTANDA |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ONS |
24+ |
N/A |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-TO-2203LE |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-2203LEADSTANDARD |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-2203LEADSTANDA |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-2203LEADSTANDA |
94703 |
询价 |
