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NTP30N20	文件：88.02 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N−Channel Enhancement−Mode TO−220 30 AMPERES 200 VOLTS 68 m @ VGS= 10 V (Typ) Features •Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode •Avalanche Energy Specified •IDSSand RDS(on)Specified at Elevated Temperature •Pb−Free Package is Avail 文件：88.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N20	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel EnhancementïMode TO-220 Features • SourceïtoïDrain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode • Avalanche Energy Specified • IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature • PbïFree Package is Available Applications • PWM Motor Controls • Power Supplies • Converters 文件：354.04 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 200V 30A 81 mOhm Single N-Channel TO-220 • Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode\n• IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Pb-Free Package is Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N20_V01	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel EnhancementïMode TO-220 Features • SourceïtoïDrain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode • Avalanche Energy Specified • IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature • PbïFree Package is Available Applications • PWM Motor Controls • Power Supplies • Converters 文件：354.04 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel EnhancementïMode TO-220 Features • SourceïtoïDrain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode • Avalanche Energy Specified • IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature • PbïFree Package is Available Applications • PWM Motor Controls • Power Supplies • Converters 文件：354.04 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N20G	文件：164 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20 N−Channel Enhancement−Mode TO−220 30 AMPERES 200 VOLTS 68 m @ VGS= 10 V (Typ) Features •Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode •Avalanche Energy Specified •IDSSand RDS(on)Specified at Elevated Temperature •Pb−Free Package is Avail 文件：164 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N20G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N−Channel Enhancement−Mode TO−220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTP30N20
功能描述：
MOSFET 200V 30A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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