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NTP30N20G	文件：164 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20 N−ChannelEnhancement−ModeTO−220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features •Source−to−DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel EnhancementïMode TO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30N20	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	30A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N20isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N20	文件：1.60365 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
A30N20MP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DAM30N20D	文件：233.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAME30N20H	文件：250.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO

详细参数

型号：
NTP30N20G
功能描述：
MOSFET 200V 30A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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