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NTP6410AN	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTP6410AN	文件：1.51881 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTP6410ANG	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6410ANG	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUF6410MN	文件：76.15 Kbytes Page：4 Pages	6LineEMIFilterwithESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUF6410MN	文件：148.71 Kbytes Page：6 Pages	6-ChannelEMIFilterwithIntegratedESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVB6410AN	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX6410GH	文件：190.65 Kbytes Page：7 Pages	1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6410GH	文件：178.08 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR2.5Gb/sFTTHPONAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6410GHisa1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=14.0mW •Lowthresholdcurrentlth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.3W/A •Wideoperatingtemperatu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NTP6410AN
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ

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更多NTP6410AN供应商更新时间2025-5-23 10:20:00

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