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NTP6N60	文件：49.53 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 6 Amps, 600 Volts N−Channel TO−220 Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •HigherCurrentRating •LowerRDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotalGateCharge •TighterVSDSpecifications •AvalancheEnergySpecified	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6N60	文件：1.10728 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P6N60	文件：536.76 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
P6N60FI	文件：151.98 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PHB6N60BT	文件：1.10873 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB6N60E	文件：1.10869 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB6N60E	文件：74.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP6N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP6N60E	文件：372.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP6N60E	文件：74.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP6N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX6N60E	文件：69.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX6N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
NTP6N60
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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更多NTP6N60供应商更新时间2025-7-19 16:12:00

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