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NTP30N20G中文资料PDF规格书

NTP30N20G
厂商型号

NTP30N20G

功能描述

N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20

文件大小

164 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-21 20:06:00

NTP30N20G规格书详情

N−Channel Enhancement−Mode TO−220

30 AMPERES 200 VOLTS 68 m @ VGS= 10 V (Typ)

Features

•Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete

Fast Recovery Diode

•Avalanche Energy Specified

•IDSSand RDS(on)Specified at Elevated Temperature

•Pb−Free Package is Available

Applications

•PWM Motor Controls

•Power Supplies

•Converters

产品属性

  • 型号:

    NTP30N20G

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 30A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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