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NTP60N06	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK 文件：85.67 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP60N06	文件：979.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：979.99 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTP60N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，60A，14mΩ，单 N 沟道，TO-220 适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。 • Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP60N06G	文件：979.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：979.24 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTP60N06G	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK 文件：85.67 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP60N06L	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK 文件：94.01 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP60N06LG	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK 文件：94.01 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP60N06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，60A，14mΩ，单 N 沟道，TO-220，逻辑电平适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。 • Pb Free is available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP60N06G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTP60N06
功能描述：
MOSFET 60V 60A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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