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NTP6411ANG

N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 m廓

文件:145.63 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTP6411ANG

N-Channel Power MOSFET

文件:148.4 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVB6411AN

N-Channel Power MOSFET

文件:148.4 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NX6411GH

LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION

DESCRIPTION The NX6411GH is a 1 490 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. FEATURES • Optical output power Po = 14.0 mW • Low threshold current lth = 10 mA • Differential efficiency ηd = 0.3 W/A • Wide operating temperatu

文件:177.82 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NX6411GH

1 490 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.

文件:190.57 Kbytes 页数:7 Pages

CEL

详细参数

  • 型号:

    NTP6411ANG

  • 功能描述:

    MOSFET NFET TO220 100V 72A 14MOH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTP6411ANG供应商 更新时间2025-10-4 17:30:00