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NTP75N06L	文件：72.31 Kbytes Page：8 Pages	POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • Pb−Free Packages are Available Typical Applications • Power 文件：72.31 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
OM75N06SA	文件：75.94 Kbytes Page：8 Pages	LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE 文件：75.94 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
OM75N06SA	文件：81.42 Kbytes Page：8 Pages	LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE DESCRIPTION This series of hermetic packaged MOSFETs are ideally suited for low voltage applications; battery powered voltage power supplies, motor controls, dc to dc converters and synchronous rectification. The low conduction loss allows smaller heat sinking and the low gate change simpler driv 文件：81.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
OM75N06SC	文件：75.94 Kbytes Page：8 Pages	LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE 文件：75.94 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
NTP75N06L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多NTP75N06L供应商更新时间2025-10-4 8:01:00

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