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NTP27N06L	文件：66.58 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 27 Amps, 60 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
27N06	文件：65.04 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB27N06	文件：83.21 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET27Amps,60VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK PowerMOSFET27Amps,60VoltsN–ChannelTO–220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •HigherCurrentRating •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances TypicalApplic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB27N06	文件：306.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=46mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTP27N06	文件：66.58 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET27Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP27N06	文件：83.21 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET27Amps,60VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK PowerMOSFET27Amps,60VoltsN–ChannelTO–220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •HigherCurrentRating •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances TypicalApplic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP27N06G	文件：66.58 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET27Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTP27N06L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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