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NTJS4151P

Trench Power MOSFET ??0 V, ??.2 A, Single P?묬hannel, SC??8

文件:143.67 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151P

Trench Power MOSFET

文件:121.64 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151P_14

Trench Power MOSFET

文件:121.64 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1

Trench Power MOSFET

文件:121.64 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1

Trench Power MOSFET ??0 V, ??.2 A, Single P?묬hannel, SC??8

文件:143.67 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1G

Trench Power MOSFET ??0 V, ??.2 A, Single P?묬hannel, SC??8

文件:143.67 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1G

Trench Power MOSFET

文件:121.64 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1G

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.05715 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTJS4151P

单 P 沟道,沟槽功率 MOSFET,-20V,-4.2A,60mΩ

Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88 • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life\n• SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board Utilization, same as SC-70-6\n• Gate Diodes for ESD Protetion;

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1

包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTJS4151

  • 功能描述:

    MOSFET -20V -4.2A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTJS4151供应商 更新时间2026-3-14 11:09:00