NTJS4151P中文资料单 P 沟道，沟槽功率 MOSFET，-20V，-4.2A，60mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88

特性 Features

• Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
• SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board Utilization, same as SC-70-6
• Gate Diodes for ESD Protetion

应用 Application

• High Side Load Switch
• Cell Phones
• Computing
• Digital Cameras
• MP3s
• PDAs

简介

NTJS4151P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTJS4151P晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。