NTJS4151P中文资料单 P 沟道，沟槽功率 MOSFET，-20V，-4.2A，60mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTJS4151P规格书详情
描述 Description
Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88
特性 Features
• Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
• SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board Utilization, same as SC-70-6
• Gate Diodes for ESD Protetion
应用 Application
• High Side Load Switch
• Cell Phones
• Computing
• Digital Cameras
• MP3s
• PDAs
简介
NTJS4151P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ONSEMI制造生产的NTJS4151P晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：NTJS4151P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.2
- ID Max (A)
：3.3
- PD Max (W)
：1
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：70
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：47
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：850
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT163 |
3000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-363 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON |
1725+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT363 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SC-70 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
