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NTJD3158CT1G	文件：102.13 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 20 V, 0.63/-0.82 A, SC-88 Complementary, ESD Protected 文件：102.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTJD4152PT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT363	ON 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	ON

详细参数

型号：
NTJD3158CT1G
功能描述：
MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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