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NTB5411N	文件：148.65 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 文件：148.65 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5411NT4G	文件：148.65 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 文件：148.65 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5411NT4G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTE5411	文件：21.91 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp, Sensitive Gate Description: The NTE5411 through NTE5416 are PNPN silicon controlled rectifier (SCR) devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control: process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. Features: 文件：21.91 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
NTP5411N	文件：148.65 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 文件：148.65 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP5411NG	文件：148.65 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 文件：148.65 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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