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CMPZ5230B	文件：401.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODE350mW,5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPZ5230B	文件：100.6 Kbytes Page：2 Pages	350mWZENERDIODE5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPZ5221BSeriessiliconzenerdiodeisahighqualityvoltageregulatorforuseinindustrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications.Highervoltagedevicesareavailableonspecialorder. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODESONELECTRICALCHARACT	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
NE5230N	文件：245.63 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NE5230N	文件：189.93 Kbytes Page：17 Pages	Lowvoltageoperationalamplifier DESCRIPTION TheNE5230isaverylowvoltageoperationalamplifierthatcanperformwithavoltagesupplyaslowas1.8Vorashighas15V.Inaddition,splitorsinglesuppliescanbeused,andtheoutputwill swingtogroundwhenapplyingthelatter.Thereisabiasadjustingpinwhichcon	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NE5230NG	文件：245.63 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NE5230NG	文件：211.45 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NPORT5230	文件：3.27218 Mbytes Page：8 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxa 台湾摩莎	moxa
NPORT5230A	文件：3.77746 Mbytes Page：7 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxa 台湾摩莎	moxa
NPORT5230A-T	文件：3.77746 Mbytes Page：7 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxa 台湾摩莎	moxa
NPORT5230-T	文件：3.27218 Mbytes Page：8 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxa 台湾摩莎	moxa
PBSS5230PAP	文件：751.58 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230PAP	文件：274.72 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5230QA	文件：727.5 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4230QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230QA	文件：245.01 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5230T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：55.62 Kbytes Page：7 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：463.36 Kbytes Page：11 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat Highcollectorcurrentcapability: ICandICM Higherefficiencyleadingtolessheat generation AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PJBZ5230Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PMBZ5230B	文件：66.19 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.250mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.3to75V •Non-repetiti	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
NE5230DG
功能描述：
运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to Rail Commercial Temp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NE5230DG供应商更新时间2024-5-16 15:30:00

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