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PBSS5230T	文件：55.62 Kbytes Page：7 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit 文件：55.62 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5230T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V, 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit 文件：55.91 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5230T	文件：640.26 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Pu rpose Amplifier Features ●Low collector-emitter saturation voltage ●High current capability ●Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating ●Halogen free available upon request by adding suffix ”HF” ●Moisure Sensitivity Level 1 ●Marking:W3G Applications ●Supply line switching circuits ●Battery management ●DC 文件：640.26 Kbytes 页数：4 Pages	SY 顺烨电子	SY
PBSS5230T	文件：463.36 Kbytes Page：11 Pages	丝印：3G；Package：TO-236AB；30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features and benefits * Low collector-emiter saturation voltage VCEsat * High collector current capability: IC and ICM * Higher efficiency leading to less heat generation * AEC-Q101 qualified 文件：463.36 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5230T_15	文件：215.52 Kbytes Page：10 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：215.52 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5230T	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4230T. • Low collector-emiter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability: IC and ICM\n• Higher efficiency leading to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5230T,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 2A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
300
VCEO [max] (V)：
-30
IC [max] (mA)：
-2000
hFE [min]：
300
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

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