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PBSS5230T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V, 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：463.36 Kbytes Page：11 Pages	Marking：3G；Package：TO-236AB；30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat Highcollectorcurrentcapability: ICandICM Higherefficiencyleadingtolessheat generation AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：640.26 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Pu rpose Amplifier Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Highcurrentcapability ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix”HF” ●MoisureSensitivityLevel1 ●Marking:W3G Applications ●Supplylineswitchingcircuits ●Batterymanagement ●DC	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
PBSS5230T	文件：55.62 Kbytes Page：7 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T_15	文件：215.52 Kbytes Page：10 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 2A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PJBZ5230Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PMBZ5230B	文件：66.19 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.250mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.3to75V •Non-repetiti	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMLL5230B	文件：37.87 Kbytes Page：7 Pages	Voltageregulatordiodes Low-powervoltageregulatordiodesinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages.Theseriesconsistsof43typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.0to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.500mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.0to75V	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PBSS5230T
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANSISTOR PNP SOT-23
功能描述：
TRANSISTOR, PNP, SOT-23
功能描述：
PNP transistor 2A SOT23,PBSS5230T

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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