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PBSS5230QA分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PBSS5230QA |
参数属性 | PBSS5230QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3 |
功能描述 | 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
文件大小 |
727.5 Kbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 22:59:00 |
PBSS5230QA规格书详情
1. General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small
DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible
and solderable side pads.
NPN complement: PBSS4230QA.
2. Features and benefits
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements
• Solderable side pads
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
PBSS5230QA属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS5230QA晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
PBSS5230QAZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
210mV @ 50mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
170MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
DFN1010D-3
- 描述:
TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT1215 |
7350 |
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NXP/恩智浦 |
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Nexperia(安世) |
23+ |
SOT1215 |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT-1118D |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT-1118D |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-1118D |
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NXP/恩智浦 |
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