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PBSS5220T-Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS5220T-Q |
参数属性 | PBSS5220T-Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A TO236AB |
功能描述 | 20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
234.68 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-19 23:00:00 |
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PBSS5220T-Q规格书详情
1. General description
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
2. Features and benefits
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
3. Applications
• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
产品属性
- 产品编号:
PBSS5220T-QR
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
225mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
225 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 20V 2A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飞利浦 |
24+ |
NA/ |
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