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PBSS5230QA	文件：727.5 Kbytes Page：17 Pages	Marking：000010；Package：DFN1010D-3；30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4230QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230QA	文件：245.01 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5230QAZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：55.62 Kbytes Page：7 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：463.36 Kbytes Page：11 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat Highcollectorcurrentcapability: ICandICM Higherefficiencyleadingtolessheat generation AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：640.26 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Highcurrentcapability ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix”HF” ●MoisureSensitivityLevel1 ●Marking:W3G Applications ●Supplylineswitchingcircuits ●Batterymanagement ●DC	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
PJBZ5230Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PMBZ5230B	文件：66.19 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.250mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.3to75V •Non-repetiti	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PBSS5230QA
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANS PNP 30V 2A 3DFN

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