PBSS5230T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5230T |
| 参数属性 | PBSS5230T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 2A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-236AB / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
463.36 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-7 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS5230T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5230T规格书详情
Features and benefits
* Low collector-emiter saturation voltage
VCEsat
* High collector current capability:
IC and ICM
* Higher efficiency leading to less heat
generation
* AEC-Q101 qualified
产品属性
- 产品编号：
PBSS5230T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 30V 2A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SK/森浦科 |
24+ |
NA/ |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
503413 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
880000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23 |
2000 |
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恩XP |
2450+ |
SOT23-3 |
9850 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
60100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
