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PBSS5230PAP	文件：751.58 Kbytes Page：17 Pages	Marking：2H；Package：DFN2020-6；30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230QA	文件：727.5 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4230QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：55.62 Kbytes Page：7 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5230T	文件：463.36 Kbytes Page：11 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat Highcollectorcurrentcapability: ICandICM Higherefficiencyleadingtolessheat generation AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：640.26 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Highcurrentcapability ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix”HF” ●MoisureSensitivityLevel1 ●Marking:W3G Applications ●Supplylineswitchingcircuits ●Batterymanagement ●DC	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
PJBZ5230Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PMBZ5230B	文件：66.19 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.250mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.3to75V •Non-repetiti	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMLL5230B	文件：37.87 Kbytes Page：7 Pages	Voltageregulatordiodes Low-powervoltageregulatordiodesinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages.Theseriesconsistsof43typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.0to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.500mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.0to75V	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PBSS5230PAP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 30V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	PBSS5230PAP	NEXPERIA/安世	20+	DFN2020-6	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多PBSS5230PAP供应商更新时间2025-5-29 14:00:00

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