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PBSS5230PAP中文资料30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS5230PAP规格书详情
描述 Description
PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN/PNP complement: PBSS4230PANP. NPN/NPN complement: PBSS4230PAN.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5230PAP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Product status
：Production
- Polarity
：PNP
- Nr of transistors
：2
- Ptot [max] (mW)
：1040
- VCEO [max] (V)
：-30
- IC [max] (A)
：-2
- VCEsat [max] (PNP) (mV)
：-390
- RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)
：195
- hFE [min]
：260
- fT [typ] (MHz)
：95
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