PBSS5220V数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS5220V |
| 参数属性 | PBSS5220V 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 2A SOT666 |
| 功能描述 | PBSS5220V - 20 V, 2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 10:09:00 |
| 人工找货 | PBSS5220V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5220V规格书详情
描述 Description
20 V, 2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor - PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4220V.
特性 Features
·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
·High collector current capability: IC and ICM
·High collector current gain (hFE) at high IC
·High efficiency due to less heat generation
·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
·AEC-Q101 qualified
应用 Application
·DC-to-DC conversion
·MOSFET gate driving
·Motor control
·Charging circuits
·Low power switches (e.g. motors, fans)
·Portable applications
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5220V
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT666
- Package name
：SOT666
- Size (mm)
：1.6 x 1.2 x 0.55
- transistor polarity
：PNP
- P_tot [max] (mW)
：900
- V_CEO [max] (V)
：-20
- I_C [max] (A)
：-2
- I_CM [max] (A)
：-4
- h_FE [min]
：220
- h_FE [typ]
：495
- f_T [min] (MHz)
：150
- f_T [typ] (MHz)
：185
- R_CEsat [typ] (mΩ)
：140
- R_CEsat [max] (mΩ)
：210
- V_CEsat [max] (mV)
：-455
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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