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PBSS5220V	文件：182.56 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4220V. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability: IC and ICM ■ Hi 文件：182.56 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PBSS5220V	文件：296.15 Kbytes Page：14 Pages	丝印：N7；Package：SOT666；20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability: IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：296.15 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5220V_15	文件：182.56 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：182.56 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5220V	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor General description\nPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package.\nNPN complement: PBSS4220V. ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n■ High collector current capability: IC and ICM\n■ High collector current gain (hFE) at high IC\n■ High efficiency due to less heat generation\n■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications\n■ DC-t;	恩XP 恩智浦	恩XP
PBSS5220V	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS5220V - 20 V, 2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor 20 V, 2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor - PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4220V. ·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·High collector current capability: IC and ICM\n·High collector current gain (hFE) at high IC\n·High efficiency due to less heat generation\n·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5220V,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-563，SOT-666；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A SOT666	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package version：
SOT666
Package name：
SOT666
Size (mm)：
1.6 x 1.2 x 0.55
transistor polarity：
PNP
P_tot [max] (mW)：
900
V_CEO [max] (V)：
-20
I_C [max] (A)：
-2
I_CM [max] (A)：
-4
h_FE [min]：
220
h_FE [typ]：
495
f_T [min] (MHz)：
150
f_T [typ] (MHz)：
185
R_CEsat [typ] (mΩ)：
140
R_CEsat [max] (mΩ)：
210
V_CEsat [max] (mV)：
-455

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