PBSS5220V中文资料20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

厂商型号 |
PBSS5220V |
参数属性 | PBSS5220V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT666 |
功能描述 | 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | SOT-563,SOT-666 |
制造商 | 恩XP |
中文名称 | N智浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 14:35:00 |
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PBSS5220V规格书详情
描述 Description
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4220V.
特性 Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)
■ Portable applications
技术参数
- 产品编号:
PBSS5220V,115
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
390mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
155 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
185MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:
SOT-666
- 描述:
TRANS PNP 20V 2A SOT666
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
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