PBSS5220V数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS5220V |
| 参数属性 | PBSS5220V 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 2A SOT666 |
| 功能描述 | 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 制造商 | 恩XP 恩XP |
| 中文名称 | N智浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 14:26:00 |
| 人工找货 | PBSS5220V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5220V规格书详情
描述 Description
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4220V.
特性 Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)
■ Portable applications
技术参数
- 产品编号：
PBSS5220V,115
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
390mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
155 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
185MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：
SOT-666
- 描述：
TRANS PNP 20V 2A SOT666
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
原厂原封 |
1500 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT666 |
6000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT666 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
1215+ |
80000 |
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恩XP |
23+ |
SOT1118 |
8560 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
20+ |
DFN2020-6 |
120000 |
只做原装 可免费提供样品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT666 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
15250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT6666 |
7350 |
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