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PBSS5220V中文资料20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBSS5220V

参数属性

PBSS5220V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT666

功能描述

20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

SOT-563,SOT-666

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 14:35:00

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PBSS5220V规格书详情

描述 Description

General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4220V.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)
■ Portable applications

技术参数

  • 产品编号:

    PBSS5220V,115

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    390mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    155 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    185MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-666

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 2A SOT666

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