PBSS5230T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5230T |
| 参数属性 | PBSS5230T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 2A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
55.62 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 17:06:00 |
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PBSS5230T规格书详情
DESCRIPTION
PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements
• Cost effective alternative to MOSFETs in specific
applications.
APPLICATIONS
• Power management
– DC/DC converters
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD backlighting.
• Peripheral drivers
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs)
– Inductive load driver (e.g. relays,
buzzers and motors).
产品属性
- 产品编号：
PBSS5230T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 30V 2A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
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