PBSS5230T中文资料PDF规格书
厂商型号 |
PBSS5230T |
参数属性 | PBSS5230T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 30V 2A TO236AB |
功能描述 | 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
文件大小 |
55.62 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ROYAL PHILIPS |
企业简称 |
Philips【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 18:13:00 |
PBSS5230T规格书详情
DESCRIPTION
PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements
• Cost effective alternative to MOSFETs in specific
applications.
APPLICATIONS
• Power management
– DC/DC converters
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD backlighting.
• Peripheral drivers
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs)
– Inductive load driver (e.g. relays,
buzzers and motors).
产品属性
- 产品编号:
PBSS5230T,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
350mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 30V 2A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT-23 |
25000 |
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NXP(恩智浦) |
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NEXPERIA/安世 |
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