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NE3516S02-T1C-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3516S02-T1C-A |
| 参数属性 | NE3516S02-T1C-A 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
333.21 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-21 16:05:00 |
| 人工找货 | NE3516S02-T1C-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3516S02-T1C-A规格书详情
NE3516S02-T1C-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3516S02-T1C-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3516S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
- 频率：
12GHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 噪声系数：
0.35dB
- 功率 - 输出：
165mW
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
25+ |
SOT23 |
3755 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
NEC(日电电子) |
2526+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
NEC |
2450+ |
SMT86 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
询价 | ||
原厂正品 |
23+ |
SMT |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
CEL |
22+ |
S03 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
CEL |
2022+ |
S02 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NEC |
2447 |
STM-86 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
NEC(日电电子) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
RENESAS |
TransJFET |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
