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NE3516S02-T1C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3516S02-T1C |
| 参数属性 | NE3516S02-T1C 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
333.21 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 10:30:00 |
| 人工找货 | NE3516S02-T1C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3516S02-T1C规格书详情
NE3516S02-T1C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3516S02-T1C晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3516S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
- 频率：
12GHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 噪声系数：
0.35dB
- 功率 - 输出：
165mW
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
22+ |
S02 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMT-86 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SMT-86 |
23+ |
RENESAS |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
RENESAS |
TransJFET |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S03 |
2000 |
询价 | |||
NEC |
24+ |
SMT-86 |
3879 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
NEC |
2020+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SMT-86 |
822 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
2038 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
SMT-86 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 |
