首页>NE3516S02-T1C>规格书详情
NE3516S02-T1C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3516S02-T1C |
| 参数属性 | NE3516S02-T1C 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
152.78 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-1 9:16:00 |
| 人工找货 | NE3516S02-T1C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
NE3516S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
- 频率：
12GHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 噪声系数：
0.35dB
- 功率 - 输出：
165mW
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
16+ |
SMD |
2875 |
只做进口原装现货!或订货!假一赔十! |
询价 | ||
NEC |
10+PBF |
S03 |
251 |
现货 |
询价 | ||
NEC |
2020+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SMT-86 |
822 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
2038 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC(日电电子) |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
SMT-86 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SMT86 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
CEL |
2022+ |
S02 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
SMT-86 |
2038 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 |
