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NDD04N62Z-1	文件：317.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDD04N62Z-1G	文件：159.89 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 文件：159.89 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDS0610	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	FAIRCHILD仙童上传：深圳市乐创天科技有限公司	FAIRCHILD仙童
NDS331N	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	ON 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	ON
NDS331N	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	ON/安森美上传：深圳市英卓尔科技有限公司	ON/安森美

详细参数

型号：
NDD04N62Z-1
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NDD04N62Z-1供应商更新时间2025-12-22 11:04:00

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