isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=8.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.85Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.85

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N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 

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N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.85

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功率 MOSFET，500V，7.5A，0.850Ω，单 N 沟道，TO-220FP

功率 MOSFET，600V，0.850Ω，单 N 沟道 • Low ON Resistance\n• 100% Avalanche Tested\n• ESD Diode-Protected Gate;

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